由非易失性存储器构成的交叉阵列利用物理定律的原位计算来实现高能效神经网络是打破传统的冯诺依曼架构计算瓶颈的关键路径。然而，目前所有存储体系的阵列计算结果需要利用大量外围电路进行激活后才能有效执行运算任务，增加了系统功耗，成为了存算一体技术进入产业化的主要挑战。如果利用新型电子器件本身即可实现运算结果激活，不但大幅降低功耗解决瓶颈问题，并有利于减少资源使用，将对发展更高效率更通用的新型计算技术具有重要意义。
针对这一关键问题，集成芯片与系统全国重点实验室、中国足彩在线大学微电子学院周鹏教授，芯片与系统前沿技术研究院刘春森研究员创造性地开发出超快双极性闪存器件，并实现了自激活存算一体技术。该成果利用团队前期提出的范德华异质结超快闪存的三大要素新机理，引入双极性二维半导体作为沟道，成功实现了高鲁棒性超快双极性闪存。通过对存储双极性行为的逻辑调控，实现了乘法累加操作同时完成非线性自激活输出，显著降低外围电路复杂度和能耗。
北京时间2023年3月21日，相关成果以《用于自激活存内计算的超快双极性闪存》（“An ultrafast bipolar flash memory for self-activated in-memory computing”）为题发表于国际顶尖期刊《自然-纳米技术》（Nature Nanotechnology）。
论文链接：
https://www.nature.com/articles/s41565-023-01339-w
