近日，信息科学与工程学院万景研究团队为了克服石墨烯场效应晶体管（GFET）低输出阻抗限制了电压和功率增益的限制，成功开发了一种高增益的石墨烯/硅-绝缘体上硅（SOI）异质共源共栅（cascode）放大器。该研究中，团队开发了一种新的异质集成工艺，将GFET作为输入晶体管，同时采用SOI-FET作为输出晶体管。结合石墨烯晶体管的高跨导和SOI晶体管的高输出阻抗特性，实现了高电压增益。其高增益特性预示着在射频领域的重要应用前景。该研究成果以“ Graphene/Silicon-on-insulator Heterogenous Cascode Amplifier with High Gain”为题发表于微电子器件领域旗舰期刊IEEE Electron Device Letters。
